贴片晶振100MHZ 鸿星晶振型号D33B100.0000NNS
- 制造商：杭州鸿星电子有限公司
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- 原厂型号：D33B100.0000NNS
- 品牌/工厂：HOSONIC| 鸿星电子
- 类别/系列：
- 工作频率（Fo）：100MHZ
- 封装代号：7050
- 规格尺寸：7mm*5mm
- 频率精度/稳定性：±25ppm
- 工作温度范围(TOPR)：0℃~70℃ (-40℃~+85℃可选)
- 安装方式：表面贴装/SMD/贴片
- 存放温度（TSTG）：-55℃ ~+125℃
- 电源电压VDD：3.3V+/-10%
- 老化（*一年)：±5ppm（25℃±3℃）
- 电流Idd：15mA Max
- 频率范围 ：70.000MHz to 125.000MHz
- 输出对称性：5
- 负载电容：5PF
石英晶体振荡器分非温度补偿式晶体振荡器、温度补偿晶体振荡器（TCXO）、电压控制晶体振荡器（VCXO）、恒温控制式晶体振荡器（OCXO）和数字化/μp补偿式晶体振荡器（DCXO/MCXO）等几种类型。其中，无温度补偿式晶体振荡器是简单的一种，在日本工业标准(JIS)中，称其为标准封装晶体振荡器（SPXO）。现以SPXO为例，简要介绍一下石英晶体振荡器的结构与工作原理。
晶振一般采用如图1a的电容三端式(考毕兹) 交流等效振荡电路；实际的晶振交流等效电路如图1b，其中Cv是用来调节振荡频率，一般用变容二极管加上不同的反偏电压来实现，这也是压控作用的机理；把晶体的等效电路代替晶体后如图1c。其中Co，C1，L1，RR是晶体的等效电路。
分析整个振荡槽路可知，利用Cv来改变频率是有限的：决定振荡频率的整个槽路电容C=Cbe,Cce,Cv三个电容串联后和Co并联再和C1串联。可以看出：C1越小，Co越大，Cv变化时对整个槽路电容的作用就越小。因而能“压控”的频率范围也越小。实际上，由于C1很小(1E-15量级)，Co不能忽略(1E-12量级，几PF)。所以，Cv变大时，降低槽路频率的作用越来越小，Cv变小时，升高槽路频率的作用却越来越大。这一方面引起压控特性的非线性，压控范围越大，非线性就越厉害；另一方面，分给振荡的反馈电压(Cbe上的电压)却越来越小，后导致停振。采用泛音次数越高的晶振，其等效电容C1就越小；因此频率的变化范围也就越小。
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